MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
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Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
| Artikelnummer: | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micron Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR.Produkteigenschaften Eigenschaften Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - Spannungsversorgung 1.1V Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Supplier Device-Gehäuse 200-WFBGA (10x14.5) Serie Automotive, AEC-Q100 Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TC) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Speichertyp Volatile Speichergröße 16Gbit Speicherorganisation 512M x 32 Speicherschnittstelle - Speicherformat DRAM Uhrfrequenz 1.866 GHz Grundproduktnummer MT53D512 MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Einzelheiten PDF [English] MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR PDF - EN.pdf -
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